国产半导体芯片材料获实质性突破 成功制备8英寸晶片

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2022年5月7日00:13:03 评论 1,493次 286字阅读0分57秒
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中关村在线新闻:据国内相关媒体报道,近日,中国科学院物理研究所利用优化生长技术,成功制备单一晶体质量4H8英寸碳化硅晶型(SiC)晶体

国产半导体芯片材料获实质性突破 成功制备8英寸晶片

据了解,碳化硅被称为第三代半导体材料(SiC)目前,它在功率半导体等领域具有巨大的实用性,但长期以来一直存在大型晶体制备困难的问题。国内8英寸碳化硅(SiC)晶体制备工艺的成功应用可以说是历史性的突破。据中国科学院介绍,这一成果转化后,将有助于加强中国的发展SiC单晶衬底的国际竞争力。

国产半导体芯片材料获实质性突破 成功制备8英寸晶片

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