中关村在线新闻：据国内相关媒体报道，近日，中国科学院物理研究所利用优化生长技术，成功制备单一晶体质量4H8英寸碳化硅晶型（SiC）晶体。
据了解，碳化硅被称为第三代半导体材料（SiC）目前，它在功率半导体等领域具有巨大的实用性，但长期以来一直存在大型晶体制备困难的问题。国内8英寸碳化硅（SiC）晶体制备工艺的成功应用可以说是历史性的突破。据中国科学院介绍，这一成果转化后，将有助于加强中国的发展SiC单晶衬底的国际竞争力。
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