UFS 4.0闪存来袭：4200MB/s速度翻番

三星半导体宣布成功研发行业最佳性能UFS 4.0(通用闪存)存储芯片并通过JEDEC固体存储协会的认证和认可。

性能方面，UFS 4.0每个通道的带宽速度提高到23.2Gbps，是UFS 3.1两倍。基于三星第七代V-NAND闪存和自主研究控制达闪存和自研主控4200MB/s，可以达到连续写入的速度2800MB/s。

相比之下，三星行业性能最好512GB UFS 3.1闪存芯片(2020年3月发布)标称顺序读取速度最高2100MB/s，可以达到写入速度1200MB/s。这意味着UFS 4.0与上一代产品相比，读写速度翻了一番。在加速的同时，单位功耗仍然很低，这意味着用户可以获得更长的电池寿命。