UFS 4.0闪存来袭:4200MB/s速度翻番

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2022年5月6日03:49:39 评论 0次
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三星半导体宣布成功研发行业最佳性能UFS 4.0(通用闪存)存储芯片并通过JEDEC固体存储协会的认证和认可。

UFS 4.0闪存来袭:4200MB/s速度翻番

性能方面,UFS 4.0每个通道的带宽速度提高到23.2Gbps,是UFS 3.1两倍。基于三星第七代V-NAND闪存和自主研究控制达闪存和自研主控4200MB/s,可以达到连续写入的速度2800MB/s。

相比之下,三星行业性能最好512GB UFS 3.1闪存芯片(2020年3月发布)标称顺序读取速度最高2100MB/s,可以达到写入速度1200MB/s。这意味着UFS 4.0与上一代产品相比,读写速度翻了一番。在加速的同时,单位功耗仍然很低,这意味着用户可以获得更长的电池寿命。

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