232层！美光发布全新3D NAND芯片

周四，美光公司宣布行业内第一有232层的公司3D NAND存储设备。该公司计划将其新的232层3D NAND该产品用于包括固态驱动器在内的各种产品，并计划在2022年底增加此类芯片的生产。

美光的232层3D NAND设备采用3D TLC结构，原始容量为1Tb（128GB）。基于美光的芯片CMOS下阵列（CuA）并使用架构NAND字符串的顶部建立两个字符串叠技术3D NAND阵列。

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CuA设计加上232层NAND，美光将大大降低1Tb 3D TLC NAND存储器的芯片尺寸有望降低生产成本，使美光能够更积极地定价使用这些芯片的设备，或者只是提高其利润率。

美光没有宣布其新的232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数，但暗示与现有3D NAND与设备相比，新的内存将提供更高的性能PCIe 5.0下一代接口SSD特别有用。 

谈到固态硬盘，美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer指出公司已与内部和第三方合作NAND控制器(用于固态硬盘和其他基础NAND存储设备)的开发者密切合作，以实现对新内存的适当支持(并确保即将到来的驱动器最终进入我们最好的固态硬盘列表)。 

"DeBoer说："我们专注于制造世界上最快的管理NAND以及数据中心和客户SSD产品所需的优化[232层3D NAND]技术。"控制器的组合，包括内部和外部控制器，一直是我们垂直产品集成的强大元素，以确保我们NAND优化控制器技术，满足我们未来提供领先产品的需求"。

图片来源：美光

在其232层3D TLC NAND在其他优势中，美光提到，考虑到美光对移动应用的历史关注和与相应设备制造商的关系，与上一代节点相比，功耗更低。

考虑到美光将于2022年底生产232层3D TLC NAND由新内存驱动的固态硬盘预计将于2023年左右开始销售。