WD推出NAND芯片：提速60%、容量大一半

本周西部数据将在未来几年对其进行比较BiCS 3D NAND展望路线图。正如预期的那样，公司及其合作伙伴Kioxia新一代将继续推出BiCS存储器可以增加每个设备的容量，降低每个比例的成本。

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此外，该公司正在开发中BiCS 3D NAND，与普通BiCS与存储器相比，它将大大提高性能和密度，以实现具有极端性能的超高容量SSD。

162层的BiCS6即将问世

该公司的下一步是推出其第六代BiCS存储器将有162个活性层和1 Tb QLC 3D NAND存储设备的芯片尺寸为68 mm^2。新一代西数3D NAND还会有更快的I/O接口和60MB/s这将大大提高下一代的程序速度SSD性能，尤其是那些PCIe 5.0接口的主流驱动器。

虽然162层可能不像其他制造商吹嘘的176层那么令人印象深刻，但西部数据的芯片尺寸将比竞争对手的芯片尺寸更小，因为该公司将使用新材料来缩小内存单元的尺寸。因此，该公司希望它BiCS6 1Tb 3D QLC IC它的生产将更容易、更便宜，这将使它能够在性能和价格上创造更便宜的存储设备SSD竞争。

QLC和TLC配置的BiCS6 3D NAND存储器的大规模生产将于2022年底开始（WDC 2023财年第二季度)。BiCS6 3D NAND从廉价的角度来看，芯片将被广泛使用USB驱动器开始扩展到高价大容量SSD。

200层以上的BiCS 即将问世

同时，西部数据计划推出需要高容量、高性能的数据中心工作负荷BiCS 内存是为数据中心设计的。

公司声称，和BiCS6相比，BiCS 由于200 层，传输速度高达60%(即使用更快的接口和/或8/16平面架构来实现更高的并行性)和15%的程序带宽(即更高的写入速度)，将提供每个晶圆55%的位数增长。BICS 有时会在2024年到达。

西部数据技术和战略总裁Siva Sivaram说："这是为数据中心的工作负荷设计的，你可以看到[......]当我们从BiCS6每个晶圆的比特增长率为55%，I/O速度增加了60%，我们保持了我刚才提到的程序带宽60MB/s在这个单位，我们将进一步提高世界纪录的15%"。西部数据技术和战略总裁Siva Sivaram说："当产品开发并投入使用时，这将是NAND性能的飞跃。" 

虽然西部数据没有概述其确切性BiCS 计划，但我们预计这种新型内存将使该公司能够在不使用棘手的包装或非常复杂的控制器的情况下，以标准的外形尺寸生产高容量的数据中心固态硬盘。还应该注意的是，BiCS 确实是专门针对数据中心驱动器的，因为它是普通的SSD，该公司计划提供200层以上的内存，目前被称为BiCS-Y。

谈数据中心SSD，有趣的是，与合作伙伴合作Kioxia不同的是，西部数据不再基于3D NAND存储级内存（SCM），与英特尔的Optane和Kioxia的XL NAND竞争。该公司在2019年提到了它的用途SCM低延迟闪存的应用（LLF）NAND但从那时起，它没有提供任何更新。 

理论上，高密度3D NAND可在单层单元（SLC）用于解决高性能、低延迟、高可靠性和大数据保留的应用。同时，我们不确定BiCS 在这种模式下，组件设计的介质是否可于上述应用？